2017年4月12日,中电科集团(CETC)第55所得微信公众号发出公告,该所重点实验室张凯博士发表的论文《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》(《三维鳍式氮化砷高线性微波功率器件》)被国际半导体器件权威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》收录,同时,被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》进行专栏报道,受到国内外业界关注。
张凯博士论文中主要论述关于“三维氮化镓FinFET微波功率器件”的科技成果,创新性的打破了传统氮化镓平面器件的技术瓶颈。论文中的实验测试结果首次展示出“氮化镓三维器件”相对于“氮化镓二维器件”在微波功率应用方面的优势与潜力。
按照中国的军工科技“生产一代、试制一代、预研一代、探索一代”的操作惯性,既然“三维氮化镓FinFET”作为科技成果被发表,那么,标志着中国科技人早已将其实用化了……
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